Vishay Siliconix - SI7501DN-T1-E3

KEY Part #: K6523545

[4671Stück Lager]


    Artikelnummer:
    SI7501DN-T1-E3
    Hersteller:
    Vishay Siliconix
    Detaillierte Beschreibung:
    MOSFET N/P-CH 30V 5.4A 1212-8.
    Standardlieferzeit des Herstellers:
    Auf Lager
    Haltbarkeit:
    Ein Jahr
    Chip von:
    Hongkong
    RoHS:
    Zahlungsmethode:
    Versand weg:
    Familienkategorien:
    KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays, Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespann, Dioden - RF, Dioden - Zener - Single, Transistoren - Bipolar (BJT) - RF, Dioden - Brückengleichrichter, Dioden - Zener - Arrays and Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln ...
    Wettbewerbsvorteil:
    Wir sind spezialisiert auf Vishay Siliconix SI7501DN-T1-E3 elektronische Komponenten. SI7501DN-T1-E3 kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu SI7501DN-T1-E3 haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    SI7501DN-T1-E3 Produkteigenschaften

    Artikelnummer : SI7501DN-T1-E3
    Hersteller : Vishay Siliconix
    Beschreibung : MOSFET N/P-CH 30V 5.4A 1212-8
    Serie : TrenchFET®
    Teilestatus : Obsolete
    FET-Typ : N and P-Channel, Common Drain
    FET-Funktion : Logic Level Gate
    Drain-Source-Spannung (Vdss) : 30V
    Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 5.4A, 4.5A
    Rds On (Max) @ Id, Vgs : 35 mOhm @ 7.7A, 10V
    Vgs (th) (Max) @ Id : 3V @ 250µA
    Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 14nC @ 10V
    Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : -
    Leistung max : 1.6W
    Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)
    Befestigungsart : Surface Mount
    Paket / fall : PowerPAK® 1212-8 Dual
    Supplier Device Package : PowerPAK® 1212-8 Dual

    Sie könnten auch interessiert sein an