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- Artikelnummer:
- IPU80R1K0CEBKMA1
- Hersteller:
- Infineon Technologies
- Detaillierte Beschreibung:
- MOSFET N-CH 800V 5.7A TO251-3.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
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- KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Dioden - Gleichrichter - Single, Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln, Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays, Dioden - RF, Transistoren - IGBTs - Single, Thyristoren - SCRs - Module, Dioden - variable Kapazität (Varicaps, Varactors) and Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt ...
- Wettbewerbsvorteil:
- Wir sind spezialisiert auf Infineon Technologies IPU80R1K0CEBKMA1 elektronische Komponenten. IPU80R1K0CEBKMA1 kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu IPU80R1K0CEBKMA1 haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
IPU80R1K0CEBKMA1 Produkteigenschaften
Artikelnummer :
IPU80R1K0CEBKMA1
Hersteller :
Infineon Technologies
Beschreibung :
MOSFET N-CH 800V 5.7A TO251-3
Serie :
CoolMOS™
Teilestatus :
Discontinued at Digi-Key
FET-Typ :
N-Channel
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
800V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
5.7A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
950 mOhm @ 3.6A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
3.9V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
31nC @ 10V
Vgs (Max) :
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
785pF @ 100V
FET-Funktion :
-
Verlustleistung (max.) :
83W (Tc)
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart :
Through Hole
Supplier Device Package :
PG-TO251-3
Paket / fall :
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
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