ON Semiconductor - FDB2570

KEY Part #: K6411268

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    Artikelnummer:
    FDB2570
    Hersteller:
    ON Semiconductor
    Detaillierte Beschreibung:
    MOSFET N-CH 150V 22A TO-263AB.
    Standardlieferzeit des Herstellers:
    Auf Lager
    Haltbarkeit:
    Ein Jahr
    Chip von:
    Hongkong
    RoHS:
    Zahlungsmethode:
    Versand weg:
    Familienkategorien:
    KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Dioden - Zener - Arrays, Leistungstreibermodule, Transistoren - Bipolar (BJT) - RF, Thyristoren - SCRs - Module, Dioden - Gleichrichter - Arrays, Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln, Thyristoren - DIACs, SIDACs and Transistoren - IGBTs - Module ...
    Wettbewerbsvorteil:
    Wir sind spezialisiert auf ON Semiconductor FDB2570 elektronische Komponenten. FDB2570 kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu FDB2570 haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    FDB2570 Produkteigenschaften

    Artikelnummer : FDB2570
    Hersteller : ON Semiconductor
    Beschreibung : MOSFET N-CH 150V 22A TO-263AB
    Serie : PowerTrench®
    Teilestatus : Obsolete
    FET-Typ : N-Channel
    Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
    Drain-Source-Spannung (Vdss) : 150V
    Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 22A (Ta)
    Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 6V, 10V
    Rds On (Max) @ Id, Vgs : 80 mOhm @ 11A, 10V
    Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 250µA
    Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 56nC @ 10V
    Vgs (Max) : ±20V
    Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 1911pF @ 75V
    FET-Funktion : -
    Verlustleistung (max.) : 93W (Tc)
    Betriebstemperatur : -65°C ~ 175°C (TJ)
    Befestigungsart : Surface Mount
    Supplier Device Package : TO-263AB
    Paket / fall : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

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