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- Artikelnummer:
- BSH111,215
- Hersteller:
- Nexperia USA Inc.
- Detaillierte Beschreibung:
- MOSFET N-CH 55V 335MA SOT-23.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
- Zahlungsmethode:
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- KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Transistoren - IGBTs - Module, Thyristoren - TRIACs, Transistoren - IGBTs - Single, Transistoren - Bipolar (BJT) - RF, Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespann, Transistoren - IGBTs - Arrays, Transistoren - spezieller Zweck and Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt ...
- Wettbewerbsvorteil:
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BSH111,215 Produkteigenschaften
Artikelnummer :
BSH111,215
Hersteller :
Nexperia USA Inc.
Beschreibung :
MOSFET N-CH 55V 335MA SOT-23
Serie :
TrenchMOS™
Teilestatus :
Obsolete
FET-Typ :
N-Channel
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
55V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
335mA (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
1.8V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
4 Ohm @ 500mA, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id :
1.3V @ 1mA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
1nC @ 8V
Vgs (Max) :
±10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
40pF @ 10V
FET-Funktion :
-
Verlustleistung (max.) :
830mW (Tc)
Betriebstemperatur :
-65°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart :
Surface Mount
Supplier Device Package :
TO-236AB
Paket / fall :
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
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