Artikelnummer :
IRF8707GPBF
Hersteller :
Infineon Technologies
Beschreibung :
MOSFET N-CH 30V 11A 8-SOIC
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
30V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
11A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
11.9 mOhm @ 11A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2.35V @ 25µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
9.3nC @ 4.5V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
760pF @ 15V
Verlustleistung (max.) :
2.5W (Ta)
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart :
Surface Mount
Supplier Device Package :
8-SO
Paket / fall :
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)