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- Artikelnummer:
- FQU13N06LTU-WS
- Hersteller:
- ON Semiconductor
- Detaillierte Beschreibung:
- MOSFET N-CH 60V 11A IPAK.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
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- Wettbewerbsvorteil:
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FQU13N06LTU-WS Produkteigenschaften
Artikelnummer :
FQU13N06LTU-WS
Hersteller :
ON Semiconductor
Beschreibung :
MOSFET N-CH 60V 11A IPAK
Serie :
QFET®
Teilestatus :
Active
FET-Typ :
N-Channel
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
60V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
11A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
115 mOhm @ 5.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2.5V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
6.4nC @ 5V
Vgs (Max) :
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
350pF @ 25V
FET-Funktion :
-
Verlustleistung (max.) :
2.5W (Ta), 28W (Tc)
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart :
Through Hole
Supplier Device Package :
I-PAK
Paket / fall :
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
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