SSM6J213FE(TE85L,F Preise (USD) [944660Stück Lager]
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- Artikelnummer:
- SSM6J213FE(TE85L,F
- Hersteller:
- Toshiba Semiconductor and Storage
- Detaillierte Beschreibung:
- MOSFET P CH 20V 2.6A ES6.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
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SSM6J213FE(TE85L,F Produkteigenschaften
Artikelnummer :
SSM6J213FE(TE85L,F
Hersteller :
Toshiba Semiconductor and Storage
Beschreibung :
MOSFET P CH 20V 2.6A ES6
Serie :
U-MOSVI
Teilestatus :
Active
FET-Typ :
P-Channel
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
20V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
2.6A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
1.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
103 mOhm @ 1.5A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id :
1V @ 1mA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
4.7nC @ 4.5V
Vgs (Max) :
±8V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
290pF @ 10V
FET-Funktion :
-
Verlustleistung (max.) :
500mW (Ta)
Betriebstemperatur :
150°C (TJ)
Befestigungsart :
Surface Mount
Supplier Device Package :
ES6
Paket / fall :
SOT-563, SOT-666
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