VS-GB200TH120U Preise (USD) [197Stück Lager]
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- Artikelnummer:
- VS-GB200TH120U
- Hersteller:
- Vishay Semiconductor Diodes Division
- Detaillierte Beschreibung:
- IGBT 1200V 330A 1316W INT-A-PAK.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
- Zahlungsmethode:
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VS-GB200TH120U Produkteigenschaften
Artikelnummer :
VS-GB200TH120U
Hersteller :
Vishay Semiconductor Diodes Division
Beschreibung :
IGBT 1200V 330A 1316W INT-A-PAK
Serie :
-
Teilestatus :
Active
IGBT-Typ :
-
Aufbau :
Half Bridge
Spannung - Durchschlag Kollektoremitter (max.) :
1200V
Stromabnehmer (Ic) (max.) :
330A
Leistung max :
1316W
Vce (ein) (max.) @ Vge, Ic :
3.6V @ 15V, 200A
Strom - Kollektorabschaltung (max.) :
5mA
Eingangskapazität (Cies) @ Vce :
16.9nF @ 30V
Eingang :
Standard
NTC-Thermistor :
No
Betriebstemperatur :
150°C (TJ)
Befestigungsart :
Chassis Mount
Paket / fall :
Double INT-A-PAK (3 + 4)
Supplier Device Package :
Double INT-A-PAK
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