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- Artikelnummer:
- SPB80N06S2L-11
- Hersteller:
- Infineon Technologies
- Detaillierte Beschreibung:
- MOSFET N-CH 55V 80A D2PAK.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
- Zahlungsmethode:
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- KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Transistoren - Bipolar (BJT) - Single, Transistoren - IGBTs - Single, Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespann, Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln, Dioden - Gleichrichter - Single, Transistoren - Bipolar (BJT) - RF, Dioden - variable Kapazität (Varicaps, Varactors) and Transistoren - spezieller Zweck ...
- Wettbewerbsvorteil:
- Wir sind spezialisiert auf Infineon Technologies SPB80N06S2L-11 elektronische Komponenten. SPB80N06S2L-11 kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu SPB80N06S2L-11 haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
SPB80N06S2L-11 Produkteigenschaften
Artikelnummer :
SPB80N06S2L-11
Hersteller :
Infineon Technologies
Beschreibung :
MOSFET N-CH 55V 80A D2PAK
Serie :
OptiMOS™
Teilestatus :
Obsolete
FET-Typ :
N-Channel
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
55V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
80A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
11 mOhm @ 40A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2V @ 93µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
80nC @ 10V
Vgs (Max) :
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
2650pF @ 25V
FET-Funktion :
-
Verlustleistung (max.) :
158W (Tc)
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart :
Surface Mount
Supplier Device Package :
PG-TO263-3-2
Paket / fall :
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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