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- Artikelnummer:
- BSS670S2LH6327XTSA1
- Hersteller:
- Infineon Technologies
- Detaillierte Beschreibung:
- MOSFET N-CH 55V 540MA SOT23.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
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- Wettbewerbsvorteil:
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BSS670S2LH6327XTSA1 Produkteigenschaften
Artikelnummer :
BSS670S2LH6327XTSA1
Hersteller :
Infineon Technologies
Beschreibung :
MOSFET N-CH 55V 540MA SOT23
Serie :
OptiMOS™
Teilestatus :
Active
FET-Typ :
N-Channel
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
55V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
540mA (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
650 mOhm @ 270mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2V @ 2.7µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
2.26nC @ 10V
Vgs (Max) :
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
75pF @ 25V
FET-Funktion :
-
Verlustleistung (max.) :
360mW (Ta)
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart :
Surface Mount
Supplier Device Package :
SOT-23-3
Paket / fall :
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
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