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- Artikelnummer:
- BUZ31L H
- Hersteller:
- Infineon Technologies
- Detaillierte Beschreibung:
- MOSFET N-CH 200V 13.5A TO220-3.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
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- Wettbewerbsvorteil:
- Wir sind spezialisiert auf Infineon Technologies BUZ31L H elektronische Komponenten. BUZ31L H kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu BUZ31L H haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
BUZ31L H Produkteigenschaften
Artikelnummer :
BUZ31L H
Hersteller :
Infineon Technologies
Beschreibung :
MOSFET N-CH 200V 13.5A TO220-3
Serie :
SIPMOS®
Teilestatus :
Obsolete
FET-Typ :
N-Channel
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
200V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
13.5A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
200 mOhm @ 7A, 5V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2V @ 1mA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
-
Vgs (Max) :
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
1600pF @ 25V
FET-Funktion :
-
Verlustleistung (max.) :
95W (Tc)
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart :
Through Hole
Supplier Device Package :
PG-TO220-3
Paket / fall :
TO-220-3
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