Infineon Technologies - BUZ31L H

KEY Part #: K6405558

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    Artikelnummer:
    BUZ31L H
    Hersteller:
    Infineon Technologies
    Detaillierte Beschreibung:
    MOSFET N-CH 200V 13.5A TO220-3.
    Standardlieferzeit des Herstellers:
    Auf Lager
    Haltbarkeit:
    Ein Jahr
    Chip von:
    Hongkong
    RoHS:
    Zahlungsmethode:
    Versand weg:
    Familienkategorien:
    KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt, Dioden - Zener - Single, Leistungstreibermodule, Transistoren - Programmierbare Einheit, Dioden - Gleichrichter - Single, Thyristoren - TRIACs, Thyristoren - Thyristoren and Transistoren - IGBTs - Arrays ...
    Wettbewerbsvorteil:
    Wir sind spezialisiert auf Infineon Technologies BUZ31L H elektronische Komponenten. BUZ31L H kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu BUZ31L H haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    BUZ31L H Produkteigenschaften

    Artikelnummer : BUZ31L H
    Hersteller : Infineon Technologies
    Beschreibung : MOSFET N-CH 200V 13.5A TO220-3
    Serie : SIPMOS®
    Teilestatus : Obsolete
    FET-Typ : N-Channel
    Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
    Drain-Source-Spannung (Vdss) : 200V
    Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 13.5A (Tc)
    Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 5V
    Rds On (Max) @ Id, Vgs : 200 mOhm @ 7A, 5V
    Vgs (th) (Max) @ Id : 2V @ 1mA
    Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : -
    Vgs (Max) : ±20V
    Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 1600pF @ 25V
    FET-Funktion : -
    Verlustleistung (max.) : 95W (Tc)
    Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)
    Befestigungsart : Through Hole
    Supplier Device Package : PG-TO220-3
    Paket / fall : TO-220-3

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