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- Artikelnummer:
- NDS355AN_G
- Hersteller:
- ON Semiconductor
- Detaillierte Beschreibung:
- MOSFET N-CH 30V 1.7A SSOT3.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
- Zahlungsmethode:
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- KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Thyristoren - Thyristoren, Transistoren - Bipolar (BJT) - RF, Dioden - Zener - Arrays, Transistoren - spezieller Zweck, Transistoren - Programmierbare Einheit, Transistoren - JFETs, Leistungstreibermodule and Dioden - variable Kapazität (Varicaps, Varactors) ...
- Wettbewerbsvorteil:
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NDS355AN_G Produkteigenschaften
Artikelnummer :
NDS355AN_G
Hersteller :
ON Semiconductor
Beschreibung :
MOSFET N-CH 30V 1.7A SSOT3
Serie :
-
Teilestatus :
Obsolete
FET-Typ :
N-Channel
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
30V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
1.7A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
85 mOhm @ 1.9A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
5nC @ 5V
Vgs (Max) :
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
195pF @ 15V
FET-Funktion :
-
Verlustleistung (max.) :
500mW (Ta)
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart :
Surface Mount
Supplier Device Package :
SuperSOT-3
Paket / fall :
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
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