IXYS - IXTX22N100L

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IXTX22N100L Preise (USD) [2832Stück Lager]

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Artikelnummer:
IXTX22N100L
Hersteller:
IXYS
Detaillierte Beschreibung:
MOSFET N-CH 1000V 22A PLUS247.
Standardlieferzeit des Herstellers:
Auf Lager
Haltbarkeit:
Ein Jahr
Chip von:
Hongkong
RoHS:
Zahlungsmethode:
Versand weg:
Familienkategorien:
KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Transistoren - FETs, MOSFETs - HF, Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays, Thyristoren - Thyristoren, Transistoren - IGBTs - Arrays, Transistoren - IGBTs - Module, Dioden - Gleichrichter - Single, Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespann and Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt ...
Wettbewerbsvorteil:
Wir sind spezialisiert auf IXYS IXTX22N100L elektronische Komponenten. IXTX22N100L kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu IXTX22N100L haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IXTX22N100L Produkteigenschaften

Artikelnummer : IXTX22N100L
Hersteller : IXYS
Beschreibung : MOSFET N-CH 1000V 22A PLUS247
Serie : -
Teilestatus : Active
FET-Typ : N-Channel
Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 1000V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 22A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 600 mOhm @ 11A, 20V
Vgs (th) (Max) @ Id : 5V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 270nC @ 15V
Vgs (Max) : ±30V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 7050pF @ 25V
FET-Funktion : -
Verlustleistung (max.) : 700W (Tc)
Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart : Through Hole
Supplier Device Package : PLUS247™-3
Paket / fall : TO-247-3

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