Diodes Incorporated - DMG3407SSN-7

KEY Part #: K6405282

DMG3407SSN-7 Preise (USD) [773543Stück Lager]

  • 1 pcs$0.04782
  • 3,000 pcs$0.04307

Artikelnummer:
DMG3407SSN-7
Hersteller:
Diodes Incorporated
Detaillierte Beschreibung:
MOSFET P-CH 30V 4A SC59.
Standardlieferzeit des Herstellers:
Auf Lager
Haltbarkeit:
Ein Jahr
Chip von:
Hongkong
RoHS:
Zahlungsmethode:
Versand weg:
Familienkategorien:
KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Transistoren - IGBTs - Module, Transistoren - Programmierbare Einheit, Thyristoren - SCRs - Module, Dioden - Gleichrichter - Arrays, Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays, Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt, Transistoren - spezieller Zweck and Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln ...
Wettbewerbsvorteil:
Wir sind spezialisiert auf Diodes Incorporated DMG3407SSN-7 elektronische Komponenten. DMG3407SSN-7 kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu DMG3407SSN-7 haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

DMG3407SSN-7 Produkteigenschaften

Artikelnummer : DMG3407SSN-7
Hersteller : Diodes Incorporated
Beschreibung : MOSFET P-CH 30V 4A SC59
Serie : -
Teilestatus : Active
FET-Typ : P-Channel
Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 30V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 4A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 50 mOhm @ 4.1A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.1V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 16nC @ 10V
Vgs (Max) : ±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 700pF @ 15V
FET-Funktion : -
Verlustleistung (max.) : 1.1W (Ta)
Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart : Surface Mount
Supplier Device Package : SC-59
Paket / fall : TO-236-3, SC-59, SOT-23-3