FDG312P Preise (USD) [596208Stück Lager]
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- Artikelnummer:
- FDG312P
- Hersteller:
- ON Semiconductor
- Detaillierte Beschreibung:
- MOSFET P-CH 20V 1.2A SC70-6.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
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- Familienkategorien:
- KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Transistoren - JFETs, Dioden - Gleichrichter - Single, Transistoren - FETs, MOSFETs - HF, Thyristoren - SCRs - Module, Dioden - variable Kapazität (Varicaps, Varactors), Leistungstreibermodule, Transistoren - Bipolar (BJT) - Single and Transistoren - Programmierbare Einheit ...
- Wettbewerbsvorteil:
- Wir sind spezialisiert auf ON Semiconductor FDG312P elektronische Komponenten. FDG312P kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu FDG312P haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
FDG312P Produkteigenschaften
Artikelnummer :
FDG312P
Hersteller :
ON Semiconductor
Beschreibung :
MOSFET P-CH 20V 1.2A SC70-6
Serie :
PowerTrench®
Teilestatus :
Active
FET-Typ :
P-Channel
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
20V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
1.2A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
2.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
180 mOhm @ 1.2A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id :
1.5V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
5nC @ 4.5V
Vgs (Max) :
±8V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
330pF @ 10V
FET-Funktion :
-
Verlustleistung (max.) :
750mW (Ta)
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart :
Surface Mount
Supplier Device Package :
SC-88 (SC-70-6)
Paket / fall :
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
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