Infineon Technologies - IPP04CN10NGXKSA1

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IPP04CN10NGXKSA1 Preise (USD) [23841Stück Lager]

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Artikelnummer:
IPP04CN10NGXKSA1
Hersteller:
Infineon Technologies
Detaillierte Beschreibung:
MV POWER MOS.
Standardlieferzeit des Herstellers:
Auf Lager
Haltbarkeit:
Ein Jahr
Chip von:
Hongkong
RoHS:
Zahlungsmethode:
Versand weg:
Familienkategorien:
KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Transistoren - Programmierbare Einheit, Transistoren - IGBTs - Arrays, Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays, Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespann, Transistoren - IGBTs - Module, Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt, Dioden - RF and Transistoren - spezieller Zweck ...
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IPP04CN10NGXKSA1 Produkteigenschaften

Artikelnummer : IPP04CN10NGXKSA1
Hersteller : Infineon Technologies
Beschreibung : MV POWER MOS
Serie : *
Teilestatus : Not For New Designs
FET-Typ : -
Technologie : -
Drain-Source-Spannung (Vdss) : -
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : -
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : -
Rds On (Max) @ Id, Vgs : -
Vgs (th) (Max) @ Id : -
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : -
Vgs (Max) : -
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : -
FET-Funktion : -
Verlustleistung (max.) : -
Betriebstemperatur : -
Befestigungsart : -
Supplier Device Package : -
Paket / fall : -

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