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- Artikelnummer:
- BSO303PNTMA1
- Hersteller:
- Infineon Technologies
- Detaillierte Beschreibung:
- MOSFET 2P-CH 30V 8.2A 8DSO.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
- Zahlungsmethode:
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- Familienkategorien:
- KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Dioden - Brückengleichrichter, Transistoren - IGBTs - Single, Dioden - Gleichrichter - Single, Dioden - RF, Thyristoren - Thyristoren, Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, Thyristoren - TRIACs and Transistoren - spezieller Zweck ...
- Wettbewerbsvorteil:
- Wir sind spezialisiert auf Infineon Technologies BSO303PNTMA1 elektronische Komponenten. BSO303PNTMA1 kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu BSO303PNTMA1 haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
BSO303PNTMA1 Produkteigenschaften
Artikelnummer :
BSO303PNTMA1
Hersteller :
Infineon Technologies
Beschreibung :
MOSFET 2P-CH 30V 8.2A 8DSO
Serie :
OptiMOS™
Teilestatus :
Obsolete
FET-Typ :
2 P-Channel (Dual)
FET-Funktion :
Logic Level Gate
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
30V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
8.2A
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
21 mOhm @ 8.2A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2V @ 100µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
72.5nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
1761pF @ 25V
Leistung max :
2W
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart :
Surface Mount
Paket / fall :
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Supplier Device Package :
P-DSO-8
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