Vishay Siliconix - SI4214DDY-T1-E3

KEY Part #: K6525375

SI4214DDY-T1-E3 Preise (USD) [241294Stück Lager]

  • 1 pcs$0.15405
  • 2,500 pcs$0.15329

Artikelnummer:
SI4214DDY-T1-E3
Hersteller:
Vishay Siliconix
Detaillierte Beschreibung:
MOSFET 2N-CH 30V 8.5A 8SO.
Standardlieferzeit des Herstellers:
Auf Lager
Haltbarkeit:
Ein Jahr
Chip von:
Hongkong
RoHS:
Zahlungsmethode:
Versand weg:
Familienkategorien:
KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Dioden - RF, Dioden - Zener - Arrays, Leistungstreibermodule, Dioden - Gleichrichter - Single, Transistoren - IGBTs - Module, Dioden - Gleichrichter - Arrays, Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays and Transistoren - FETs, MOSFETs - HF ...
Wettbewerbsvorteil:
Wir sind spezialisiert auf Vishay Siliconix SI4214DDY-T1-E3 elektronische Komponenten. SI4214DDY-T1-E3 kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu SI4214DDY-T1-E3 haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SI4214DDY-T1-E3 Produkteigenschaften

Artikelnummer : SI4214DDY-T1-E3
Hersteller : Vishay Siliconix
Beschreibung : MOSFET 2N-CH 30V 8.5A 8SO
Serie : TrenchFET®
Teilestatus : Active
FET-Typ : 2 N-Channel (Dual)
FET-Funktion : Logic Level Gate
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 30V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 8.5A
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 19.5 mOhm @ 8A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.5V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 22nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 660pF @ 15V
Leistung max : 3.1W
Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart : Surface Mount
Paket / fall : 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Supplier Device Package : 8-SO