EPC2010C Preise (USD) [25038Stück Lager]
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- 500 pcs$1.81062
- Artikelnummer:
- EPC2010C
- Hersteller:
- EPC
- Detaillierte Beschreibung:
- GANFET TRANS 200V 22A BUMPED DIE.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
- Zahlungsmethode:
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- Versand weg:
- Familienkategorien:
- KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespann, Transistoren - spezieller Zweck, Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt, Transistoren - JFETs, Dioden - variable Kapazität (Varicaps, Varactors), Thyristoren - TRIACs, Transistoren - Bipolar (BJT) - Single and Dioden - Zener - Single ...
- Wettbewerbsvorteil:
- Wir sind spezialisiert auf EPC EPC2010C elektronische Komponenten. EPC2010C kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu EPC2010C haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
EPC2010C Produkteigenschaften
Artikelnummer :
EPC2010C
Hersteller :
EPC
Beschreibung :
GANFET TRANS 200V 22A BUMPED DIE
Serie :
eGaN®
Teilestatus :
Active
FET-Typ :
N-Channel
Technologie :
GaNFET (Gallium Nitride)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
200V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
22A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
25 mOhm @ 12A, 5V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2.5V @ 3mA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
5.3nC @ 5V
Vgs (Max) :
+6V, -4V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
540pF @ 100V
FET-Funktion :
-
Verlustleistung (max.) :
-
Betriebstemperatur :
-40°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart :
Surface Mount
Supplier Device Package :
Die Outline (7-Solder Bar)
Paket / fall :
Die
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