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- Artikelnummer:
- TPC8207(TE12L)
- Hersteller:
- Toshiba Semiconductor and Storage
- Detaillierte Beschreibung:
- MOSFET 2N-CH 20V 6A 8-SOP.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
- Zahlungsmethode:
-
- Versand weg:
- Familienkategorien:
- KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Transistoren - Bipolar (BJT) - Single, Thyristoren - SCRs - Module, Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays, Thyristoren - TRIACs, Thyristoren - DIACs, SIDACs, Transistoren - IGBTs - Single, Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt and Transistoren - FETs, MOSFETs - HF ...
- Wettbewerbsvorteil:
- Wir sind spezialisiert auf Toshiba Semiconductor and Storage TPC8207(TE12L) elektronische Komponenten. TPC8207(TE12L) kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu TPC8207(TE12L) haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
TPC8207(TE12L) Produkteigenschaften
Artikelnummer :
TPC8207(TE12L)
Hersteller :
Toshiba Semiconductor and Storage
Beschreibung :
MOSFET 2N-CH 20V 6A 8-SOP
Serie :
-
Teilestatus :
Discontinued at Digi-Key
FET-Typ :
2 N-Channel (Dual)
FET-Funktion :
Logic Level Gate
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
20V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
6A
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
20 mOhm @ 4.8A, 4V
Vgs (th) (Max) @ Id :
1.2V @ 200µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
22nC @ 5V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
2010pF @ 10V
Leistung max :
450mW
Betriebstemperatur :
150°C (TJ)
Befestigungsart :
Surface Mount
Paket / fall :
8-SOIC (0.173", 4.40mm Width)
Supplier Device Package :
8-SOP (5.5x6.0)
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