ON Semiconductor - FQB10N20TM

KEY Part #: K6410650

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    Artikelnummer:
    FQB10N20TM
    Hersteller:
    ON Semiconductor
    Detaillierte Beschreibung:
    MOSFET N-CH 200V 10A D2PAK.
    Standardlieferzeit des Herstellers:
    Auf Lager
    Haltbarkeit:
    Ein Jahr
    Chip von:
    Hongkong
    RoHS:
    Zahlungsmethode:
    Versand weg:
    Familienkategorien:
    KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Transistoren - IGBTs - Arrays, Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt, Thyristoren - TRIACs, Dioden - RF, Transistoren - spezieller Zweck, Thyristoren - Thyristoren, Transistoren - IGBTs - Module and Dioden - Gleichrichter - Single ...
    Wettbewerbsvorteil:
    Wir sind spezialisiert auf ON Semiconductor FQB10N20TM elektronische Komponenten. FQB10N20TM kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu FQB10N20TM haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    FQB10N20TM Produkteigenschaften

    Artikelnummer : FQB10N20TM
    Hersteller : ON Semiconductor
    Beschreibung : MOSFET N-CH 200V 10A D2PAK
    Serie : QFET®
    Teilestatus : Obsolete
    FET-Typ : N-Channel
    Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
    Drain-Source-Spannung (Vdss) : 200V
    Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 10A (Tc)
    Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
    Rds On (Max) @ Id, Vgs : 360 mOhm @ 5A, 10V
    Vgs (th) (Max) @ Id : 5V @ 250µA
    Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 18nC @ 10V
    Vgs (Max) : ±30V
    Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 670pF @ 25V
    FET-Funktion : -
    Verlustleistung (max.) : -
    Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)
    Befestigungsart : Surface Mount
    Supplier Device Package : D²PAK (TO-263AB)
    Paket / fall : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

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