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- Artikelnummer:
- IRLR4343-701PBF
- Hersteller:
- Infineon Technologies
- Detaillierte Beschreibung:
- MOSFET N-CH 55V 26A DPAK.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
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- KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Transistoren - spezieller Zweck, Transistoren - Bipolar (BJT) - Single, Dioden - RF, Leistungstreibermodule, Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays, Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln, Transistoren - FETs, MOSFETs - HF and Dioden - variable Kapazität (Varicaps, Varactors) ...
- Wettbewerbsvorteil:
- Wir sind spezialisiert auf Infineon Technologies IRLR4343-701PBF elektronische Komponenten. IRLR4343-701PBF kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu IRLR4343-701PBF haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
IRLR4343-701PBF Produkteigenschaften
Artikelnummer :
IRLR4343-701PBF
Hersteller :
Infineon Technologies
Beschreibung :
MOSFET N-CH 55V 26A DPAK
Serie :
HEXFET®
Teilestatus :
Obsolete
FET-Typ :
N-Channel
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
55V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
26A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
50 mOhm @ 4.7A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
1V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
42nC @ 10V
Vgs (Max) :
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
740pF @ 50V
FET-Funktion :
-
Verlustleistung (max.) :
79W (Tc)
Betriebstemperatur :
-40°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart :
Surface Mount
Supplier Device Package :
I-PAK (LF701)
Paket / fall :
TO-252-4, DPak (3 Leads + Tab)
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