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- Artikelnummer:
- HGT1S2N120CN
- Hersteller:
- ON Semiconductor
- Detaillierte Beschreibung:
- IGBT 1200V 13A 104W I2PAK.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
- Zahlungsmethode:
-
- Versand weg:
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- KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, Transistoren - JFETs, Leistungstreibermodule, Dioden - Brückengleichrichter, Transistoren - IGBTs - Arrays, Transistoren - IGBTs - Single, Dioden - Gleichrichter - Single and Dioden - variable Kapazität (Varicaps, Varactors) ...
- Wettbewerbsvorteil:
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HGT1S2N120CN Produkteigenschaften
Artikelnummer :
HGT1S2N120CN
Hersteller :
ON Semiconductor
Beschreibung :
IGBT 1200V 13A 104W I2PAK
Serie :
-
Teilestatus :
Obsolete
IGBT-Typ :
NPT
Spannung - Durchschlag Kollektoremitter (max.) :
1200V
Stromabnehmer (Ic) (max.) :
13A
Strom - Kollektor gepulst (Icm) :
20A
Vce (ein) (max.) @ Vge, Ic :
2.4V @ 15V, 2.6A
Leistung max :
104W
Energie wechseln :
96µJ (on), 355µJ (off)
Eingabetyp :
Standard
Gate Charge :
30nC
Td (ein / aus) bei 25 ° C :
25ns/205ns
Testbedingung :
960V, 2.6A, 51 Ohm, 15V
Reverse Recovery Time (trr) :
-
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart :
Through Hole
Paket / fall :
TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Supplier Device Package :
TO-262
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