Artikelnummer :
TSM6N50CH C5G
Hersteller :
Taiwan Semiconductor Corporation
Beschreibung :
MOSFET N-CH 500V 5.6A TO251
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
500V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
5.6A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
1.4 Ohm @ 2.8A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
25nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
900pF @ 25V
Verlustleistung (max.) :
90W (Tc)
Betriebstemperatur :
150°C (TJ)
Befestigungsart :
Through Hole
Supplier Device Package :
TO-251 (IPAK)
Paket / fall :
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA