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Microsemi Corporation - APT7M120B

KEY Part #: K6401799

APT7M120B Preise (USD) [13572Stück Lager]

  • 1 pcs$3.33610
  • 10 pcs$3.00381
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  • 500 pcs$2.06934
  • 1,000 pcs$1.80233
Artikelnummer:
APT7M120B
Hersteller:
Microsemi Corporation
Detaillierte Beschreibung:
MOSFET N-CH 1200V 8A TO247.
Standardlieferzeit des Herstellers:
Auf Lager
Haltbarkeit:
Ein Jahr
Chip von:
Hongkong
RoHS:
Zahlungsmethode:
Versand weg:
Familienkategorien:
KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Thyristoren - DIACs, SIDACs, Dioden - Zener - Arrays, Thyristoren - SCRs - Module, Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln, Dioden - Gleichrichter - Single, Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays, Transistoren - IGBTs - Single and Transistoren - Programmierbare Einheit ...
Wettbewerbsvorteil:
Wir sind spezialisiert auf Microsemi Corporation APT7M120B elektronische Komponenten. APT7M120B kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu APT7M120B haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

APT7M120B Produkteigenschaften

Artikelnummer : APT7M120B
Hersteller : Microsemi Corporation
Beschreibung : MOSFET N-CH 1200V 8A TO247
Serie : -
Teilestatus : Active
FET-Typ : N-Channel
Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 1200V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 8A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 2.5 Ohm @ 3A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 5V @ 1mA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 80nC @ 10V
Vgs (Max) : ±30V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 2565pF @ 25V
FET-Funktion : -
Verlustleistung (max.) : 335W (Tc)
Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart : Through Hole
Supplier Device Package : TO-247 [B]
Paket / fall : TO-247-3

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