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- Artikelnummer:
- 2SJ668(TE16L1,NQ)
- Hersteller:
- Toshiba Semiconductor and Storage
- Detaillierte Beschreibung:
- MOSFET P-CHANNEL 60V 5A PW-MOLD.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
- Zahlungsmethode:
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2SJ668(TE16L1,NQ) Produkteigenschaften
Artikelnummer :
2SJ668(TE16L1,NQ)
Hersteller :
Toshiba Semiconductor and Storage
Beschreibung :
MOSFET P-CHANNEL 60V 5A PW-MOLD
Serie :
U-MOSIII
Teilestatus :
Active
FET-Typ :
P-Channel
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
60V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
5A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
4V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
170 mOhm @ 2.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2V @ 1mA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
15nC @ 10V
Vgs (Max) :
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
700pF @ 10V
FET-Funktion :
-
Verlustleistung (max.) :
20W (Tc)
Betriebstemperatur :
150°C
Befestigungsart :
Surface Mount
Supplier Device Package :
PW-MOLD
Paket / fall :
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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