ON Semiconductor - NTP30N06LG

KEY Part #: K6413710

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    Artikelnummer:
    NTP30N06LG
    Hersteller:
    ON Semiconductor
    Detaillierte Beschreibung:
    MOSFET N-CH 60V 30A TO220AB.
    Standardlieferzeit des Herstellers:
    Auf Lager
    Haltbarkeit:
    Ein Jahr
    Chip von:
    Hongkong
    RoHS:
    Zahlungsmethode:
    Versand weg:
    Familienkategorien:
    KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Thyristoren - DIACs, SIDACs, Transistoren - spezieller Zweck, Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln, Thyristoren - SCRs - Module, Transistoren - JFETs, Transistoren - Bipolar (BJT) - Single, Thyristoren - TRIACs and Transistoren - Bipolar (BJT) - RF ...
    Wettbewerbsvorteil:
    Wir sind spezialisiert auf ON Semiconductor NTP30N06LG elektronische Komponenten. NTP30N06LG kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu NTP30N06LG haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    NTP30N06LG Produkteigenschaften

    Artikelnummer : NTP30N06LG
    Hersteller : ON Semiconductor
    Beschreibung : MOSFET N-CH 60V 30A TO220AB
    Serie : -
    Teilestatus : Obsolete
    FET-Typ : N-Channel
    Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
    Drain-Source-Spannung (Vdss) : 60V
    Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 30A (Ta)
    Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 5V
    Rds On (Max) @ Id, Vgs : 46 mOhm @ 15A, 5V
    Vgs (th) (Max) @ Id : 2V @ 250µA
    Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 32nC @ 5V
    Vgs (Max) : ±15V
    Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 1150pF @ 25V
    FET-Funktion : -
    Verlustleistung (max.) : 88.2W (Tc)
    Betriebstemperatur : -55°C ~ 175°C (TJ)
    Befestigungsart : Through Hole
    Supplier Device Package : TO-220AB
    Paket / fall : TO-220-3

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