Wenn Ihr Standort nicht aufgeführt ist, wählen Sie eine der folgenden Möglichkeiten:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski

Wenn Ihr Standort nicht aufgeführt ist, wählen Sie eine der folgenden Möglichkeiten:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski
  1. Zuhause
  2. Produkte
  3. Diskrete Halbleiterprodukte
  4. Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln
  5. APTM10UM01FAG

Microsemi Corporation - APTM10UM01FAG

KEY Part #: K6397776

APTM10UM01FAG Preise (USD) [487Stück Lager]

  • 1 pcs$95.20883
  • 10 pcs$90.61072
  • 25 pcs$87.32781
Artikelnummer:
APTM10UM01FAG
Hersteller:
Microsemi Corporation
Detaillierte Beschreibung:
MOSFET N-CH 100V 860A SP6.
Standardlieferzeit des Herstellers:
Auf Lager
Haltbarkeit:
Ein Jahr
Chip von:
Hongkong
RoHS:
Zahlungsmethode:
Versand weg:
Familienkategorien:
KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Transistoren - IGBTs - Single, Transistoren - spezieller Zweck, Dioden - Gleichrichter - Arrays, Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays, Thyristoren - DIACs, SIDACs, Dioden - RF, Leistungstreibermodule and Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt ...
Wettbewerbsvorteil:
Wir sind spezialisiert auf Microsemi Corporation APTM10UM01FAG elektronische Komponenten. APTM10UM01FAG kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu APTM10UM01FAG haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

APTM10UM01FAG Produkteigenschaften

Artikelnummer : APTM10UM01FAG
Hersteller : Microsemi Corporation
Beschreibung : MOSFET N-CH 100V 860A SP6
Serie : -
Teilestatus : Active
FET-Typ : N-Channel
Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 100V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 860A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 1.6 mOhm @ 275A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 12mA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 2100nC @ 10V
Vgs (Max) : ±30V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 60000pF @ 25V
FET-Funktion : -
Verlustleistung (max.) : 2500W (Tc)
Betriebstemperatur : -40°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart : Chassis Mount
Supplier Device Package : SP6
Paket / fall : SP6

Neuesten Nachrichten

Microsemi Adaptec® HBA 1100 SAS/SATA Host Bus Adapters
Sie könnten auch interessiert sein an
  • TN0106N3-G

    Microchip Technology

    MOSFET N-CH 60V 350MA TO92-3.

  • FDD86250-F085

    ON Semiconductor

    NMOS DPAK 150V 22 MOHM.

  • IRLR024NPBF

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 55V 17A DPAK.

  • IRLR2908PBF

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 80V 30A DPAK.

  • TK100A06N1,S4X

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET N-CH 60V 100A TO-220.

  • TK10A80E,S4X

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET N-CH 800V TO220SIS.

Heiße Teile