IXTA1N200P3HV Preise (USD) [14212Stück Lager]
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- Artikelnummer:
- IXTA1N200P3HV
- Hersteller:
- IXYS
- Detaillierte Beschreibung:
- MOSFET N-CH 2000V 1A TO-263HV.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
- Zahlungsmethode:
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- Wettbewerbsvorteil:
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IXTA1N200P3HV Produkteigenschaften
Artikelnummer :
IXTA1N200P3HV
Hersteller :
IXYS
Beschreibung :
MOSFET N-CH 2000V 1A TO-263HV
Serie :
-
Teilestatus :
Active
FET-Typ :
N-Channel
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
2000V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
1A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
40 Ohm @ 500mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
23.5nC @ 10V
Vgs (Max) :
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
646pF @ 25V
FET-Funktion :
-
Verlustleistung (max.) :
125W (Tc)
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart :
Surface Mount
Supplier Device Package :
TO-263 (IXTA)
Paket / fall :
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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