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- Artikelnummer:
- NDH832P
- Hersteller:
- ON Semiconductor
- Detaillierte Beschreibung:
- MOSFET P-CH 20V 4.2A SSOT-8.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
- Zahlungsmethode:
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- Familienkategorien:
- KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespann, Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays, Thyristoren - SCRs - Module, Transistoren - IGBTs - Single, Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt, Transistoren - JFETs, Thyristoren - Thyristoren and Dioden - Gleichrichter - Single ...
- Wettbewerbsvorteil:
- Wir sind spezialisiert auf ON Semiconductor NDH832P elektronische Komponenten. NDH832P kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu NDH832P haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
NDH832P Produkteigenschaften
Artikelnummer :
NDH832P
Hersteller :
ON Semiconductor
Beschreibung :
MOSFET P-CH 20V 4.2A SSOT-8
Serie :
-
Teilestatus :
Obsolete
FET-Typ :
P-Channel
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
20V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
4.2A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
2.7V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
60 mOhm @ 4.2A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id :
1V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
30nC @ 4.5V
Vgs (Max) :
-8V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
1000pF @ 10V
FET-Funktion :
-
Verlustleistung (max.) :
1.8W (Ta)
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart :
Surface Mount
Supplier Device Package :
SuperSOT™-8
Paket / fall :
8-LSOP (0.130", 3.30mm Width)
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