IXYS - IXFH100N30X3

KEY Part #: K6398542

IXFH100N30X3 Preise (USD) [8948Stück Lager]

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Artikelnummer:
IXFH100N30X3
Hersteller:
IXYS
Detaillierte Beschreibung:
300V/100A ULTRA JUNCTION X3-CLAS.
Standardlieferzeit des Herstellers:
Auf Lager
Haltbarkeit:
Ein Jahr
Chip von:
Hongkong
RoHS:
Zahlungsmethode:
Versand weg:
Familienkategorien:
KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Dioden - Brückengleichrichter, Transistoren - Bipolar (BJT) - RF, Dioden - Zener - Single, Dioden - Gleichrichter - Single, Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, Transistoren - IGBTs - Module, Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays and Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt ...
Wettbewerbsvorteil:
Wir sind spezialisiert auf IXYS IXFH100N30X3 elektronische Komponenten. IXFH100N30X3 kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu IXFH100N30X3 haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IXFH100N30X3 Produkteigenschaften

Artikelnummer : IXFH100N30X3
Hersteller : IXYS
Beschreibung : 300V/100A ULTRA JUNCTION X3-CLAS
Serie : HiPerFET™
Teilestatus : Active
FET-Typ : N-Channel
Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 300V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 100A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 13.5 mOhm @ 50A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4.5V @ 4mA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 122nC @ 10V
Vgs (Max) : ±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 7.66nF @ 25V
FET-Funktion : -
Verlustleistung (max.) : 480W (Tc)
Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart : Through Hole
Supplier Device Package : TO-247
Paket / fall : TO-247-3

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