SI4816BDY-T1-GE3 Preise (USD) [111328Stück Lager]
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- Artikelnummer:
- SI4816BDY-T1-GE3
- Hersteller:
- Vishay Siliconix
- Detaillierte Beschreibung:
- MOSFET 2N-CH 30V 5.8A 8-SOIC.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
- Zahlungsmethode:
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- Versand weg:
- Familienkategorien:
- KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Dioden - Brückengleichrichter, Transistoren - Bipolar (BJT) - RF, Thyristoren - TRIACs, Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt, Transistoren - Bipolar (BJT) - Single, Dioden - Gleichrichter - Arrays, Thyristoren - SCRs - Module and Transistoren - IGBTs - Arrays ...
- Wettbewerbsvorteil:
- Wir sind spezialisiert auf Vishay Siliconix SI4816BDY-T1-GE3 elektronische Komponenten. SI4816BDY-T1-GE3 kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu SI4816BDY-T1-GE3 haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
SI4816BDY-T1-GE3 Produkteigenschaften
Artikelnummer :
SI4816BDY-T1-GE3
Hersteller :
Vishay Siliconix
Beschreibung :
MOSFET 2N-CH 30V 5.8A 8-SOIC
Serie :
LITTLE FOOT®
Teilestatus :
Active
FET-Typ :
2 N-Channel (Half Bridge)
FET-Funktion :
Logic Level Gate
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
30V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
5.8A, 8.2A
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
18.5 mOhm @ 6.8A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
3V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
10nC @ 5V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
-
Leistung max :
1W, 1.25W
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart :
Surface Mount
Paket / fall :
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Supplier Device Package :
8-SO
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