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GeneSiC Semiconductor - 1N8030-GA

KEY Part #: K6428136

1N8030-GA Preise (USD) [488Stück Lager]

  • 1 pcs$89.56064
  • 10 pcs$85.23848
  • 25 pcs$82.15037
Artikelnummer:
1N8030-GA
Hersteller:
GeneSiC Semiconductor
Detaillierte Beschreibung:
DIODE SCHOTTKY 650V 750MA TO257.
Standardlieferzeit des Herstellers:
Auf Lager
Haltbarkeit:
Ein Jahr
Chip von:
Hongkong
RoHS:
Zahlungsmethode:
Versand weg:
Familienkategorien:
KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Transistoren - Bipolar (BJT) - Single, Transistoren - spezieller Zweck, Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt, Dioden - Zener - Arrays, Dioden - variable Kapazität (Varicaps, Varactors), Dioden - Gleichrichter - Arrays, Dioden - RF and Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays ...
Wettbewerbsvorteil:
Wir sind spezialisiert auf GeneSiC Semiconductor 1N8030-GA elektronische Komponenten. 1N8030-GA kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu 1N8030-GA haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

1N8030-GA Produkteigenschaften

Artikelnummer : 1N8030-GA
Hersteller : GeneSiC Semiconductor
Beschreibung : DIODE SCHOTTKY 650V 750MA TO257
Serie : -
Teilestatus : Obsolete
Diodentyp : Silicon Carbide Schottky
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) : 650V
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) : 750mA
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If : 1.39V @ 750mA
Geschwindigkeit : No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr) : 0ns
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr : 5µA @ 650V
Kapazität @ Vr, F : 76pF @ 1V, 1MHz
Befestigungsart : Through Hole
Paket / fall : TO-257-3
Supplier Device Package : TO-257
Betriebstemperatur - Übergang : -55°C ~ 250°C
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