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- Artikelnummer:
- SPP20N65C3HKSA1
- Hersteller:
- Infineon Technologies
- Detaillierte Beschreibung:
- MOSFET N-CH 650V 20.7A TO-220.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
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- Wettbewerbsvorteil:
- Wir sind spezialisiert auf Infineon Technologies SPP20N65C3HKSA1 elektronische Komponenten. SPP20N65C3HKSA1 kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu SPP20N65C3HKSA1 haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
SPP20N65C3HKSA1 Produkteigenschaften
Artikelnummer :
SPP20N65C3HKSA1
Hersteller :
Infineon Technologies
Beschreibung :
MOSFET N-CH 650V 20.7A TO-220
Serie :
CoolMOS™
Teilestatus :
Obsolete
FET-Typ :
N-Channel
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
650V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
20.7A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
190 mOhm @ 13.1A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
3.9V @ 1mA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
114nC @ 10V
Vgs (Max) :
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
2400pF @ 25V
FET-Funktion :
-
Verlustleistung (max.) :
208W (Tc)
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart :
Through Hole
Supplier Device Package :
PG-TO220-3-1
Paket / fall :
TO-220-3
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