IXFT58N20 Preise (USD) [8670Stück Lager]
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- Artikelnummer:
- IXFT58N20
- Hersteller:
- IXYS
- Detaillierte Beschreibung:
- MOSFET N-CH 200V 58A TO-268.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
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- Wettbewerbsvorteil:
- Wir sind spezialisiert auf IXYS IXFT58N20 elektronische Komponenten. IXFT58N20 kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu IXFT58N20 haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
IXFT58N20 Produkteigenschaften
Artikelnummer :
IXFT58N20
Hersteller :
IXYS
Beschreibung :
MOSFET N-CH 200V 58A TO-268
Serie :
HiPerFET™
Teilestatus :
Active
FET-Typ :
N-Channel
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
200V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
58A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
40 mOhm @ 29A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4V @ 4mA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
220nC @ 10V
Vgs (Max) :
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
4400pF @ 25V
FET-Funktion :
-
Verlustleistung (max.) :
300W (Tc)
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart :
Surface Mount
Supplier Device Package :
TO-268
Paket / fall :
TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
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