Microchip Technology - TN5325N3-G-P002

KEY Part #: K6394038

TN5325N3-G-P002 Preise (USD) [189161Stück Lager]

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Artikelnummer:: TN5325N3-G-P002

Hersteller:: Microchip Technology

Detaillierte Beschreibung:: MOSFET N-CH 250V 0.215A TO92-3.

Standardlieferzeit des Herstellers:: Auf Lager

Haltbarkeit:: Ein Jahr

Chip von:: Hongkong

RoHS:

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Familienkategorien:: KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Dioden - Gleichrichter - Arrays, Dioden - RF, Transistoren - Programmierbare Einheit, Dioden - Gleichrichter - Single, Dioden - Brückengleichrichter, Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt, Transistoren - spezieller Zweck and Thyristoren - DIACs, SIDACs ...

Wettbewerbsvorteil:: Wir sind spezialisiert auf Microchip Technology TN5325N3-G-P002 elektronische Komponenten. TN5325N3-G-P002 kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu TN5325N3-G-P002 haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com

GB-T-27922

ISO-9001-2015

ISO-13485

ISO-14001

ISO-28000-2007

ISO-45001-2018

TN5325N3-G-P002 Produkteigenschaften

Artikelnummer : TN5325N3-G-P002

Hersteller : Microchip Technology

Beschreibung : MOSFET N-CH 250V 0.215A TO92-3

Serie : -

Teilestatus : Active

FET-Typ : N-Channel

Technologie : MOSFET (Metal Oxide)

Drain-Source-Spannung (Vdss) : 250V

Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 215mA (Ta)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 7 Ohm @ 1A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 2V @ 1mA

Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : -

Vgs (Max) : ±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 110pF @ 25V

FET-Funktion : -

Verlustleistung (max.) : 740mW (Ta)

Betriebstemperatur : -

Befestigungsart : Through Hole

Supplier Device Package : TO-92-3

Paket / fall : TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)

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