Infineon Technologies - IRLR8256TRPBF

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Artikelnummer:
IRLR8256TRPBF
Hersteller:
Infineon Technologies
Detaillierte Beschreibung:
MOSFET N-CH 25V 81A DPAK.
Standardlieferzeit des Herstellers:
Auf Lager
Haltbarkeit:
Ein Jahr
Chip von:
Hongkong
RoHS:
Zahlungsmethode:
Versand weg:
Familienkategorien:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IRLR8256TRPBF Produkteigenschaften

Artikelnummer : IRLR8256TRPBF
Hersteller : Infineon Technologies
Beschreibung : MOSFET N-CH 25V 81A DPAK
Serie : HEXFET®
Teilestatus : Active
FET-Typ : N-Channel
Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 25V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 81A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 5.7 mOhm @ 25A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.35V @ 25µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 15nC @ 4.5V
Vgs (Max) : ±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 1470pF @ 13V
FET-Funktion : -
Verlustleistung (max.) : 63W (Tc)
Betriebstemperatur : -55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart : Surface Mount
Supplier Device Package : D-Pak
Paket / fall : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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