IXTU1R4N60P Preise (USD) [521Stück Lager]
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- Artikelnummer:
- IXTU1R4N60P
- Hersteller:
- IXYS
- Detaillierte Beschreibung:
- MOSFET N-CH 600V 1.4A TO251.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
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IXTU1R4N60P Produkteigenschaften
Artikelnummer :
IXTU1R4N60P
Hersteller :
IXYS
Beschreibung :
MOSFET N-CH 600V 1.4A TO251
Serie :
PolarHV™
Teilestatus :
Obsolete
FET-Typ :
N-Channel
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
600V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
1.4A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
9 Ohm @ 700mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
5.5V @ 25µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
5.2nC @ 10V
Vgs (Max) :
±30V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
140pF @ 25V
FET-Funktion :
-
Verlustleistung (max.) :
50W (Tc)
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart :
Through Hole
Supplier Device Package :
TO-251
Paket / fall :
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
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