IXTU1R4N60P Preise (USD) [521Stück Lager]
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- Artikelnummer:
- IXTU1R4N60P
- Hersteller:
- IXYS
- Detaillierte Beschreibung:
- MOSFET N-CH 600V 1.4A TO251.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
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- Wir sind spezialisiert auf IXYS IXTU1R4N60P elektronische Komponenten. IXTU1R4N60P kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu IXTU1R4N60P haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
IXTU1R4N60P Produkteigenschaften
Artikelnummer :
IXTU1R4N60P
Hersteller :
IXYS
Beschreibung :
MOSFET N-CH 600V 1.4A TO251
Serie :
PolarHV™
Teilestatus :
Obsolete
FET-Typ :
N-Channel
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
600V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
1.4A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
9 Ohm @ 700mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
5.5V @ 25µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
5.2nC @ 10V
Vgs (Max) :
±30V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
140pF @ 25V
FET-Funktion :
-
Verlustleistung (max.) :
50W (Tc)
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart :
Through Hole
Supplier Device Package :
TO-251
Paket / fall :
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
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