NXP USA Inc. - BUK761R8-30C,118

KEY Part #: K6406278

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    Artikelnummer:
    BUK761R8-30C,118
    Hersteller:
    NXP USA Inc.
    Detaillierte Beschreibung:
    MOSFET N-CH 30V 100A D2PAK.
    Standardlieferzeit des Herstellers:
    Auf Lager
    Haltbarkeit:
    Ein Jahr
    Chip von:
    Hongkong
    RoHS:
    Zahlungsmethode:
    Versand weg:
    Familienkategorien:
    KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Transistoren - JFETs, Thyristoren - TRIACs, Transistoren - Bipolar (BJT) - RF, Dioden - Gleichrichter - Single, Dioden - Zener - Arrays, Leistungstreibermodule, Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays and Transistoren - IGBTs - Single ...
    Wettbewerbsvorteil:
    Wir sind spezialisiert auf NXP USA Inc. BUK761R8-30C,118 elektronische Komponenten. BUK761R8-30C,118 kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu BUK761R8-30C,118 haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    BUK761R8-30C,118 Produkteigenschaften

    Artikelnummer : BUK761R8-30C,118
    Hersteller : NXP USA Inc.
    Beschreibung : MOSFET N-CH 30V 100A D2PAK
    Serie : TrenchMOS™
    Teilestatus : Obsolete
    FET-Typ : N-Channel
    Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
    Drain-Source-Spannung (Vdss) : 30V
    Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 100A (Tc)
    Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
    Rds On (Max) @ Id, Vgs : 1.8 mOhm @ 25A, 10V
    Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 1mA
    Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 150nC @ 10V
    Vgs (Max) : ±20V
    Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 10349pF @ 25V
    FET-Funktion : -
    Verlustleistung (max.) : 333W (Tc)
    Betriebstemperatur : -55°C ~ 175°C (TJ)
    Befestigungsart : Surface Mount
    Supplier Device Package : D2PAK
    Paket / fall : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

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