APT75GP120B2G Preise (USD) [3409Stück Lager]
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- Artikelnummer:
- APT75GP120B2G
- Hersteller:
- Microsemi Corporation
- Detaillierte Beschreibung:
- IGBT 1200V 100A 1042W TMAX.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
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APT75GP120B2G Produkteigenschaften
Artikelnummer :
APT75GP120B2G
Hersteller :
Microsemi Corporation
Beschreibung :
IGBT 1200V 100A 1042W TMAX
Serie :
POWER MOS 7®
Teilestatus :
Active
IGBT-Typ :
PT
Spannung - Durchschlag Kollektoremitter (max.) :
1200V
Stromabnehmer (Ic) (max.) :
100A
Strom - Kollektor gepulst (Icm) :
300A
Vce (ein) (max.) @ Vge, Ic :
3.9V @ 15V, 75A
Leistung max :
1042W
Energie wechseln :
1620µJ (on), 2500µJ (off)
Eingabetyp :
Standard
Gate Charge :
320nC
Td (ein / aus) bei 25 ° C :
20ns/163ns
Testbedingung :
600V, 75A, 5 Ohm, 15V
Reverse Recovery Time (trr) :
-
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart :
Through Hole
Paket / fall :
TO-247-3 Variant
Supplier Device Package :
-
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