TK62J60W,S1VQ Preise (USD) [6297Stück Lager]
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- Artikelnummer:
- TK62J60W,S1VQ
- Hersteller:
- Toshiba Semiconductor and Storage
- Detaillierte Beschreibung:
- MOSFET N CH 600V 61.8A TO-3PN.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
- Zahlungsmethode:
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- Familienkategorien:
- KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Thyristoren - SCRs - Module, Transistoren - IGBTs - Module, Thyristoren - Thyristoren, Dioden - RF, Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespann, Thyristoren - DIACs, SIDACs, Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays and Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt ...
- Wettbewerbsvorteil:
- Wir sind spezialisiert auf Toshiba Semiconductor and Storage TK62J60W,S1VQ elektronische Komponenten. TK62J60W,S1VQ kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu TK62J60W,S1VQ haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
TK62J60W,S1VQ Produkteigenschaften
Artikelnummer :
TK62J60W,S1VQ
Hersteller :
Toshiba Semiconductor and Storage
Beschreibung :
MOSFET N CH 600V 61.8A TO-3PN
Serie :
DTMOSIV
Teilestatus :
Active
FET-Typ :
N-Channel
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
600V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
61.8A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
38 mOhm @ 30.9A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
3.7V @ 3.1mA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
180nC @ 10V
Vgs (Max) :
±30V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
6500pF @ 300V
FET-Funktion :
Super Junction
Verlustleistung (max.) :
400W (Tc)
Betriebstemperatur :
150°C (TJ)
Befestigungsart :
Through Hole
Supplier Device Package :
TO-3P(N)
Paket / fall :
TO-3P-3, SC-65-3
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