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Microsemi Corporation - APTM10DAM05TG

KEY Part #: K6396599

APTM10DAM05TG Preise (USD) [1519Stück Lager]

  • 1 pcs$28.63728
  • 100 pcs$28.49480
Artikelnummer:
APTM10DAM05TG
Hersteller:
Microsemi Corporation
Detaillierte Beschreibung:
MOSFET N-CH 100V 278A SP4.
Standardlieferzeit des Herstellers:
Auf Lager
Haltbarkeit:
Ein Jahr
Chip von:
Hongkong
RoHS:
Zahlungsmethode:
Versand weg:
Familienkategorien:
KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Transistoren - spezieller Zweck, Transistoren - IGBTs - Module, Transistoren - IGBTs - Single, Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, Transistoren - FETs, MOSFETs - HF, Dioden - Zener - Arrays, Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespann and Dioden - Gleichrichter - Arrays ...
Wettbewerbsvorteil:
Wir sind spezialisiert auf Microsemi Corporation APTM10DAM05TG elektronische Komponenten. APTM10DAM05TG kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu APTM10DAM05TG haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

APTM10DAM05TG Produkteigenschaften

Artikelnummer : APTM10DAM05TG
Hersteller : Microsemi Corporation
Beschreibung : MOSFET N-CH 100V 278A SP4
Serie : -
Teilestatus : Active
FET-Typ : N-Channel
Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 100V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 278A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 5 mOhm @ 125A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 5mA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 700nC @ 10V
Vgs (Max) : ±30V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 20000pF @ 25V
FET-Funktion : -
Verlustleistung (max.) : 780W (Tc)
Betriebstemperatur : -40°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart : Chassis Mount
Supplier Device Package : SP4
Paket / fall : SP4

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