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- Artikelnummer:
- IRFIZ46N
- Hersteller:
- Infineon Technologies
- Detaillierte Beschreibung:
- MOSFET N-CH 55V 33A TO220FP.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
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- KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespann, Dioden - Brückengleichrichter, Transistoren - spezieller Zweck, Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, Transistoren - JFETs, Dioden - Gleichrichter - Arrays, Transistoren - Bipolar (BJT) - RF and Thyristoren - TRIACs ...
- Wettbewerbsvorteil:
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IRFIZ46N Produkteigenschaften
Artikelnummer :
IRFIZ46N
Hersteller :
Infineon Technologies
Beschreibung :
MOSFET N-CH 55V 33A TO220FP
Serie :
HEXFET®
Teilestatus :
Obsolete
FET-Typ :
N-Channel
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
55V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
33A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
20 mOhm @ 19A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
61nC @ 10V
Vgs (Max) :
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
1500pF @ 25V
FET-Funktion :
-
Verlustleistung (max.) :
45W (Tc)
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart :
Through Hole
Supplier Device Package :
TO-220AB Full-Pak
Paket / fall :
TO-220-3 Full Pack
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