NXP USA Inc. - BSH112,235

KEY Part #: K6415224

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    Artikelnummer:
    BSH112,235
    Hersteller:
    NXP USA Inc.
    Detaillierte Beschreibung:
    MOSFET N-CH 60V 300MA SOT-23.
    Standardlieferzeit des Herstellers:
    Auf Lager
    Haltbarkeit:
    Ein Jahr
    Chip von:
    Hongkong
    RoHS:
    Zahlungsmethode:
    Versand weg:
    Familienkategorien:
    KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespann, Thyristoren - TRIACs, Dioden - Gleichrichter - Single, Transistoren - FETs, MOSFETs - HF, Transistoren - JFETs, Thyristoren - Thyristoren, Dioden - Zener - Single and Transistoren - IGBTs - Arrays ...
    Wettbewerbsvorteil:
    Wir sind spezialisiert auf NXP USA Inc. BSH112,235 elektronische Komponenten. BSH112,235 kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu BSH112,235 haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    BSH112,235 Produkteigenschaften

    Artikelnummer : BSH112,235
    Hersteller : NXP USA Inc.
    Beschreibung : MOSFET N-CH 60V 300MA SOT-23
    Serie : TrenchMOS™
    Teilestatus : Obsolete
    FET-Typ : N-Channel
    Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
    Drain-Source-Spannung (Vdss) : 60V
    Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 300mA (Ta)
    Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 4.5V, 10V
    Rds On (Max) @ Id, Vgs : 5 Ohm @ 500mA, 10V
    Vgs (th) (Max) @ Id : 2V @ 1mA
    Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : -
    Vgs (Max) : ±15V
    Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 40pF @ 10V
    FET-Funktion : -
    Verlustleistung (max.) : 830mW (Tc)
    Betriebstemperatur : -65°C ~ 150°C (TJ)
    Befestigungsart : Surface Mount
    Supplier Device Package : TO-236AB (SOT23)
    Paket / fall : TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

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