Rohm Semiconductor - RXH125N03TB1

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Artikelnummer:
RXH125N03TB1
Hersteller:
Rohm Semiconductor
Detaillierte Beschreibung:
MOSFET N-CH 30V 12.5A 8SOIC.
Standardlieferzeit des Herstellers:
Auf Lager
Haltbarkeit:
Ein Jahr
Chip von:
Hongkong
RoHS:
Zahlungsmethode:
Versand weg:
Familienkategorien:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

RXH125N03TB1 Produkteigenschaften

Artikelnummer : RXH125N03TB1
Hersteller : Rohm Semiconductor
Beschreibung : MOSFET N-CH 30V 12.5A 8SOIC
Serie : -
Teilestatus : Active
FET-Typ : N-Channel
Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 30V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 12.5A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 4V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 12 mOhm @ 12.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.5V @ 1mA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 12.7nC @ 5V
Vgs (Max) : ±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 1000pF @ 10V
FET-Funktion : -
Verlustleistung (max.) : 2W (Ta)
Betriebstemperatur : 150°C (TJ)
Befestigungsart : Surface Mount
Supplier Device Package : 8-SOP
Paket / fall : 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

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