Diodes Incorporated - DMN3012LFG-7

KEY Part #: K6522504

DMN3012LFG-7 Preise (USD) [117267Stück Lager]

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Artikelnummer:
DMN3012LFG-7
Hersteller:
Diodes Incorporated
Detaillierte Beschreibung:
MOSFET 2 N-CH 30V POWERDI3333.
Standardlieferzeit des Herstellers:
Auf Lager
Haltbarkeit:
Ein Jahr
Chip von:
Hongkong
RoHS:
Zahlungsmethode:
Versand weg:
Familienkategorien:
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Wettbewerbsvorteil:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

DMN3012LFG-7 Produkteigenschaften

Artikelnummer : DMN3012LFG-7
Hersteller : Diodes Incorporated
Beschreibung : MOSFET 2 N-CH 30V POWERDI3333
Serie : -
Teilestatus : Active
FET-Typ : 2 N-Channel (Dual)
FET-Funktion : Standard
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 30V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 12 mOhm @ 15A, 5V, 6 mOhm @ 15A, 5V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.1V @ 250µA, 1.15V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 6.1nC @ 4.5V, 12.6nC @ 4.5V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 850pF @ 15V, 1480pF @ 15V
Leistung max : 2.2W
Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart : Surface Mount
Paket / fall : 8-PowerLDFN
Supplier Device Package : PowerDI3333-8

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