Infineon Technologies - BSZ105N04NSGATMA1

KEY Part #: K6416449

BSZ105N04NSGATMA1 Preise (USD) [407748Stück Lager]

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Artikelnummer:
BSZ105N04NSGATMA1
Hersteller:
Infineon Technologies
Detaillierte Beschreibung:
MOSFET N-CH 40V 40A TSDSON-8.
Standardlieferzeit des Herstellers:
Auf Lager
Haltbarkeit:
Ein Jahr
Chip von:
Hongkong
RoHS:
Zahlungsmethode:
Versand weg:
Familienkategorien:
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Wettbewerbsvorteil:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

BSZ105N04NSGATMA1 Produkteigenschaften

Artikelnummer : BSZ105N04NSGATMA1
Hersteller : Infineon Technologies
Beschreibung : MOSFET N-CH 40V 40A TSDSON-8
Serie : OptiMOS™
Teilestatus : Active
FET-Typ : N-Channel
Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 40V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 11A (Ta), 40A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 10.5 mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 14µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 17nC @ 10V
Vgs (Max) : ±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 1300pF @ 20V
FET-Funktion : -
Verlustleistung (max.) : 2.1W (Ta), 35W (Tc)
Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart : Surface Mount
Supplier Device Package : PG-TSDSON-8
Paket / fall : 8-PowerTDFN

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