CSD86356Q5D Preise (USD) [81265Stück Lager]
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- Artikelnummer:
- CSD86356Q5D
- Hersteller:
- Texas Instruments
- Detaillierte Beschreibung:
- 25V POWERBLOCK N CH MOSFET.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
- Zahlungsmethode:
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- KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, Thyristoren - TRIACs, Transistoren - Bipolar (BJT) - Single, Leistungstreibermodule, Thyristoren - Thyristoren, Thyristoren - DIACs, SIDACs, Transistoren - spezieller Zweck and Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays ...
- Wettbewerbsvorteil:
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CSD86356Q5D Produkteigenschaften
Artikelnummer :
CSD86356Q5D
Hersteller :
Texas Instruments
Beschreibung :
25V POWERBLOCK N CH MOSFET
Serie :
NexFET™
Teilestatus :
Active
FET-Typ :
2 N-Channel (Half Bridge)
FET-Funktion :
Logic Level Gate, 5V Drive
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
25V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
40A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
4.5 mOhm @ 20A, 5V, 0.8 mOhm @ 20A, 5V
Vgs (th) (Max) @ Id :
1.85V @ 250µA, 1.5V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
7.9nC @ 4.5V, 19.3nC @ 4.5V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
1.04nF @ 12.5V, 2.51nF @ 12.5V
Leistung max :
12W (Ta)
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart :
Surface Mount
Paket / fall :
8-PowerTDFN
Supplier Device Package :
8-VSON-CLIP (5x6)
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