DMN3016LDN-13 Preise (USD) [462518Stück Lager]
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- Artikelnummer:
- DMN3016LDN-13
- Hersteller:
- Diodes Incorporated
- Detaillierte Beschreibung:
- MOSFET 2 N-CH 9.2A VDFN3030-8.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
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- KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespann, Transistoren - JFETs, Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt, Thyristoren - SCRs - Module, Thyristoren - TRIACs, Transistoren - FETs, MOSFETs - HF, Dioden - Gleichrichter - Arrays and Dioden - RF ...
- Wettbewerbsvorteil:
- Wir sind spezialisiert auf Diodes Incorporated DMN3016LDN-13 elektronische Komponenten. DMN3016LDN-13 kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu DMN3016LDN-13 haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
DMN3016LDN-13 Produkteigenschaften
Artikelnummer :
DMN3016LDN-13
Hersteller :
Diodes Incorporated
Beschreibung :
MOSFET 2 N-CH 9.2A VDFN3030-8
Serie :
-
Teilestatus :
Active
FET-Typ :
2 N-Channel (Dual)
FET-Funktion :
Standard
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
-
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
9.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
20 mOhm @ 11A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
11.3nC @ 4.5V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
1415pF @ 15V
Leistung max :
-
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart :
Surface Mount
Paket / fall :
8-PowerVDFN
Supplier Device Package :
V-DFN3030-8 (Type J)
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