Artikelnummer :
SI2319DS-T1-GE3
Hersteller :
Vishay Siliconix
Beschreibung :
MOSFET P-CH 40V 2.3A SOT23-3
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
40V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
2.3A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
82 mOhm @ 3A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
3V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
17nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
470pF @ 20V
Verlustleistung (max.) :
750mW (Ta)
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart :
Surface Mount
Supplier Device Package :
SOT-23-3 (TO-236)
Paket / fall :
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3